系列 | - |
包裝 | 剪切帶(CT) |
零件狀態(tài) | 有效 |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平柵極,4V 驅動(dòng) |
漏源極電壓(Vdss) | 100V |
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 170mA(Ta) |
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 18 歐姆 @ 80mA,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 100μA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg) | 0.9nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) | 14pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 600mW |
工作溫度 | 150°C(TJ) |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | 3-CPH |
標準包裝 | 1 |
其它名稱(chēng) | ERT-D |
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