安富利到貨通知CSD17507Q5A集成電路IC
發(fā)布時間：2017/12/29
制造商
Texas Instruments
制造商零件編號
CSD17507Q5A
描述 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 含鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 13A（Ta），65A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10.8 毫歐 @ 11A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-VSON（5x6）
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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