分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 IKW40N60H3FKSA1 晶體管
發(fā)布時(shí)間：2018/4/10
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IKW40N60H3FKSA1介紹；
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 52 周
詳細(xì)描述 IGBT Trench Field Stop 600V 80A 306W Through Hole PG-TO247-3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類(lèi)型 溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值 306W
開(kāi)關(guān)能量 1.68mJ
輸入類(lèi)型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 223nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 19ns/197ns
測(cè)試條件 400V，40A，7.9 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 124ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3
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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。