SDRAM MT41J128M16JT-125:K TR 存儲器
發(fā)布時間：2018/4/11
MT41J128M16JT-125:K TR介紹；
描述 IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細描述 SDRAM - DDR3 存儲器 IC 2Gb （128M x 16） 并聯(lián) 800MHz 13.75ns 96-FBGA（8x14）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3
存儲容量 2Gb （128M x 16）
時鐘頻率 800MHz
寫周期時間 - 字，頁 -
訪問時間 13.75ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA（8x14）
基本零件編號 MT41J128M16
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按照與CPU的接近程度，存儲器分為內(nèi)存儲器與外存儲器，簡稱內(nèi)存與外存。內(nèi)存儲器又常稱為主存儲器（簡稱主存），屬于主機的組成部分；外存儲器又常稱為輔助存儲器（簡稱輔存），屬于外部設(shè)備。CPU不能像訪問內(nèi)存那樣，直接訪問外存，外存要與CPU或I/O設(shè)備進行數(shù)據(jù)傳輸，必須通過內(nèi)存進行。在80386以上的高檔微機中，還配置了高速緩沖存儲器（cache），這時內(nèi)存包括主存與高速緩存兩部分。對于低檔微機，主存即為內(nèi)存。