晶體管SI1917EDH-T1-E3 MOSFET
發(fā)布時間：2018/5/3
SI1917EDH-T1-E3介紹：
描述 MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 2 個 P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 370 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 100μA（最?。?/p>
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 570mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-6（SOT-363）
基本零件編號 SI1917
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因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達(dá)到控制ID的作用。 由于這種結(jié)構(gòu)在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強(qiáng)型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。
