晶體管 UNR221900L 預(yù)偏置
發(fā)布時(shí)間：2018/5/9
UNR221900L介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置
制造商 Panasonic Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 1 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 10 kOhms
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 150MHz
功率 - 最大值 200mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 迷你型3-G1
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為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點(diǎn)的尺寸小于10納米，目前世界各實(shí)驗(yàn)室都在想各種辦法解決這個(gè)問(wèn)題。有些實(shí)驗(yàn)室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運(yùn)形成的臺(tái)階型電流——電壓曲線，但離實(shí)用還有相當(dāng)?shù)木嚯x。
