晶體管 SSM6L35FE,LM MOSFET
發(fā)布時間：2018/5/21
SSM6L35FE,LM介紹：
描述 MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 剪切帶（CT） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 180mA，100mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 50mA，4V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值 150mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 ES6（1.6x1.6）
基本零件編號 SSM6L35
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MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。
