晶體管 IXGT60N60 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/12
IXGT60N60介紹：
描述 IGBT 600V 75A 380W TO268
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 GenX3??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 300A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.5V @ 15V，40A
功率 - 最大值 380W
開關(guān)能量 800μJ（開），450μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 115nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 21ns/70ns
測試條件 480V，40A，3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 25ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝 TO-268
基本零件編號(hào) IXG*60N60
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晶體管比電子管體積小很多，需要空間比電子管小很多，電器使用晶體管可以做的很小。封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一。
