晶體管 MTM78E2B0LBF 陣列
發(fā)布時(shí)間：2018/6/12
MTM78E2B0LBF介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 150mW Surface Mount WSMini8-F1-B
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Panasonic Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 2A，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 10V
功率 - 最大值 150mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝 WSMini8-F1-B
基本零件編號(hào) MTM78E2B
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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