晶體管 RJH60D0DPK-00#T0 UGBT
發(fā)布時(shí)間：2018/6/21
RJH60D0DPK-00#T0介紹：
描述 IGBT 600V 45A 140W TO3P
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 45A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.2V @ 15V，22A
功率 - 最大值 140W
開關(guān)能量 230μJ（開），290μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 46nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 40ns/80ns
測(cè)試條件 300V，22A，5 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 100ns
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-3P
基本零件編號(hào) RJH60D
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按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
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