晶體管 IPT004N03LATMA1 FET- MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/25
IPT004N03LATMA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 300A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） PG-HSOF-8-1
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 300A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 0.4 毫歐 @ 150A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 163nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 24000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-HSOF-8-1
封裝/外殼 8-PowerSFN
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在控制電器和機(jī)械方面，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備，因?yàn)樗ǔＪ歉阋耍行У貎H僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計(jì)算機(jī)程序來(lái)完成同樣的機(jī)械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計(jì)一個(gè)等效的機(jī)械控制。
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