晶體管 FGPF10N60UNDF MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/7/5
FGPF10N60UNDF介紹：
描述 IGBT 600V 20A 42W TO-220F
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A
功率 - 最大值 42W
開關(guān)能量 150μJ（開），50μJ（關(guān)）
輸入類型 標準
柵極電荷 37nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 8ns/52.2ns
測試條件 400V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 37.7ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝 TO-220F-3
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耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。
