晶體管 IRLU2905PBF MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/8/8
?IRLU2905PBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 55V 42A（Tc） I-PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 42A（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 27 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V
FET 功能 -
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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從目前的角度來(lái)看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料?
