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晶體管 DTC144EUAT106 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置

發(fā)布時(shí)間:2018/9/3

DTC144EUAT106介紹:
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝   帶卷(TR) 
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 30mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
電阻器 - 基底(R1) 47 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2) 47 kOhms
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 68 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值) 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 200mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-70,SOT-323
供應(yīng)商器件封裝 UMT3
基本零件編號(hào) DTC144
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晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器)。

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