存儲(chǔ)器MD51V65165E-50TA DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/13
MD51V65165E-50TA介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) DRAM
存儲(chǔ)容量 64Mb （4M x 16）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 84ns
訪問(wèn)時(shí)間 25ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 50-TSOP II
基本零件編號(hào) MD51V65165E
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途分存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存），也分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào)，即地址，一般用十六進(jìn)制表示。
