晶體管 IXFT36N50P MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/11
IXFT36N50P介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?，PolarP2?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 36A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 93nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 540W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 170 毫歐 @ 500mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-268
封裝/外殼 TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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