晶體管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/7/16
FGL35N120FTDTU介紹：
描述 IGBT 1200V 70A 368W TO264
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 44 周
詳細(xì)描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 105A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值 368W
開(kāi)關(guān)能量 2.5mJ（開(kāi)）， 1.7mJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 210nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 34ns/172ns
測(cè)試條件 600V，35A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 337ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝 TO-264
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！
所出的物料，絕對(duì)原裝正品！放心購(gòu)買！
本公司為一般納稅人，可開(kāi)16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201
電話：0755-83259719
以金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）的命名來(lái)看，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個(gè)字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
